NEC采用浸入式光刻开发出55nm工艺,预计2007年量产

NEC电子公司开发出名为UX7LS的55nm节点工艺，采用了浸入式光刻和高k材料。该工艺可提供比65nm工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。UX7LS是对65nm工艺的改进版本。通过将65nm工艺技术与高k薄膜结合，开发出了极限低功率LSI，该工艺将适于手机、移动消费类产品以及网络系统的LSI产品。