摘要
文章从电荷耦合器件（ＣＣＤ）的基本工作原理出发，探讨了ＣＣＤ的γ电离辐射（总剂量辐射）效应，着重分析了表面损伤效应及其对ＣＣＤ各结构部分的影响，提出了ＣＣＤ抗γ总剂量辐射加固的结构设计途径及加固工艺。
From the basic operation principles of CCDs,this paper describes the effects of γ ionizing radiation(total dose radiation),with the emphasis on surface damage effects and influence on each structural parts of CCDs.CCD structural design rules and fabrication technology for γ total dose resistant radiation hardening are presented.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期16-22,共7页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国防科工委资助
