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载流子寿命对半导体激光器调制特性的影响 被引量:2

Influences of the carrier lifetime on the modulation characteristics of semiconductor lasers
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摘要 针对通常用来研究半导体激光器调制特性的速率方程中所采用的载流子寿命不变近似所存在的问题,重新对小信号调制下半导体激光器的速率方程组进行了线性化处理。解析推导的结果表明,考虑载流子寿命的变化,弛豫过程的阻尼(damprate)明显增大,共振频率有所改变。 It is proved that,when the linearization method is applied to the time dependent rate equations used to study the modulation characteristic of a semiconductor laser at a small current signal,the constant carrier lifetime assumption is logically unreasonable.After appropriate modifications,the rate equations have been linearized,analytical resolutions have been deduced,and comparison has been made through with these obtained and constant carrier lifetime assumption.
机构地区 西南师范大学
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期29-31,共3页 Semiconductor Optoelectronics
基金 重庆市科委和西南师范大学科研基金
关键词 半导体激光器 载流子寿命 调制 Semiconductor Laser Carrier Lifetime Modulation
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献3

  • 1Luo B,IEEE Photon Technol Lett,1993年,5卷,11期,1279页
  • 2陈建国,Appl Opt,1991年,30卷,31期,4554页
  • 3Lee T,IEEE J Quantum Electron,1982年,18卷,7期,1101页

共引文献2

引证文献2

二级引证文献3

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