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540~610MHz脉冲输出150W功率晶体管

540~610MHz Power Transistor with 150W Pulsed Output
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摘要 采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术,研制出应用于工程的脉冲功率晶体管.该管宽频带(540~610MHz),长脉宽(50μs),高占空比(15%),带内增益平坦度为±0.5dB,集电极输出效率ηc≥50%。 Using optimization of chip design, improvement of technologies and inner-matching, the pulse power transistor for engineering has been developed.It has wide frequency band(540~610MHz), long pulse width(50μs)and high duty cycle(15%). And its gain flatness in band is±0.5dB and the collector output efficency ηc≥50%.
作者 崔恩录
机构地区 石家庄电子部第
出处 《半导体情报》 1996年第3期19-22,共4页 Semiconductor Information
关键词 脉冲宽度 匹配网络 功率晶体管 Pulse width, Matching network, Power transistor
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