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6H－SiC单片NMOS数字集成电路

Monolithic NMOS Digital Integrated Circuits in 6H-SiC

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摘要报道了第一个宽带隙半导体ＳｉＣ数字集成电路。用离子注入ＭＯＳＦＥＴ与非自对准金属栅在增强型ＮＭＯＳ中实现这些逻辑门。已经制备并表征了反相器、ＮＡＮＤ和ＮＯＲ门、ＸＮＯＲ门、Ｄ－锁存器、ＲＳ触发电路、二元计数器和半加法器。所有电路都可以在室温３００℃以上范围工作。 Abstract

作者李宏宇

出处《半导体情报》 1996年第3期45-47,共3页 Semiconductor Information

关键词 NMOS 数字集成电路单片碳化硅

分类号 TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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半导体情报

1996年第3期

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