摘要
本文提出了把大家熟悉的ＬＯＣＯＳ（Ｓｉ的局部氧化）技术扩展到ＳｉＣ的可行性。为得到一种ＳｉＣ器件集成的最佳化等平面隔离技术，已在结构上鉴定了两种隔离工艺。第一种是利用ＳｉＣ和Ｓｉ３Ｎ４间不同氧化速率的一般ＬＯＣＯＳ工艺的扩展。第二种方法是＂多场＂工艺，它利用ＳｉＣ上多晶硅氧化的可选择性来形成隔离场区。从扫描电镜图可看到在有源区边界周围有典型的鸟喙图象，对于ＬＯＣＯＳ工艺，它的每边宽为０．９２μｍ（场氧化层等于３０００），而对于＂多场＂工艺，它的每边宽为０．５５μｍ（场氧化层等于８０００）；与一般用于ＳｉＣ的台面式隔离相比，新的技术提高了结构的平整性，允许用于相邻器件间隔离的自对准场阈注入。
Abstract
出处
《半导体情报》
1996年第3期55-58,共4页
Semiconductor Information
