期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究
下载PDF
职称材料
导出
摘要
叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术(SST),通过对器件结构的比较,工艺特点的分析,进行了改善关键技术的探讨,并在我们现有基础条件下,开展了用SST研制晶体管的实验。
作者
余宽豪
机构地区
中国科学院上海冶金研究所微电子学分部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期19-21,共3页
Semiconductor Technology
关键词
多晶硅
自对准
CVD
RIE
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
Yamam.,Y,陈立新.
SDX:一种新颖的自对准技术及其在高速双极大...[J]
.江南半导体通讯,1992,20(1):58-64.
2
沈启舜,龚小成,戴蓓兴,邱伟.
光纤对接波导阵列的自对准技术[J]
.固体电子学研究与进展,1993,13(1):41-44.
3
陶江,武国英,张国炳,孙玉秀,王阳元,都安彦.
应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究[J]
.电子学报,1991,19(4):110-112.
4
武俊齐.
国外双极超高频技术的进展[J]
.微电子学,1993,23(3):9-16.
被引量:2
5
陶江,赵铁民,张国炳,王阳元,汪锁发,李永洪.
TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究[J]
.Journal of Semiconductors,1989,10(10):781-787.
被引量:1
6
黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,卫能,李赟,赵志飞.
常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET[J]
.固体电子学研究与进展,2014,34(5).
被引量:2
7
孙劲鹏,王太宏.
点接触平面栅型硅单电子晶体管[J]
.微纳电子技术,2002,39(4):8-10.
被引量:1
8
张志勇,海潮和.
亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究[J]
.电子与封装,2005,5(9):29-33.
9
材料制备工艺[J]
.电子科技文摘,2001,0(5):20-20.
10
严北平,张鹤鸣,戴显英.
微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管[J]
.电子学报,2000,28(11):132-133.
半导体技术
1996年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部