摘要
使用MS-PC工艺模拟CAD系统对绝缘栅P-MOS结构栅氧过程中衬底电阻率ρ(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压VT之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压VT的影响。计算机模拟获得了与有关的实验现象[1]相一致的结果,作者进一步提出:以调节栅氧化步序来抑制分凝效应,从而减少二氧化硅-畦界面硅一侧的施主杂质堆积,则可起到调节MOS结构能带状态、调节MOS结构电场效应状态的作用。这一设想也已经计算机的模拟加以证实。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期22-25,共4页
Semiconductor Technology