MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压V_T动态调制的计算机模拟

使用ＭＳ－ＰＣ工艺模拟ＣＡＤ系统对绝缘栅Ｐ－ＭＯＳ结构栅氧过程中衬底电阻率ρ（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压ＶＴ之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压ＶＴ的影响。计算机模拟获得了与有关的实验现象［１］相一致的结果，作者进一步提出：以调节栅氧化步序来抑制分凝效应，从而减少二氧化硅－畦界面硅一侧的施主杂质堆积，则可起到调节ＭＯＳ结构能带状态、调节ＭＯＳ结构电场效应状态的作用。这一设想也已经计算机的模拟加以证实。