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半导体内晶格驰豫效应的计算
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摘要
为了使理论计算结果更加符合实验数据,应当考虑缺陷半导体内晶格的最近邻乃至次近邻驰豫效应。本文介绍了应用Harrison的计算公式计算随杂质和主体原子键长而变化的晶格驰豫效应,并将GaP等掺杂半导体的计算结果与实验数据及其它理论的计算值作了比较。
作者
张跃
机构地区
湖南省教育学院物理系
出处
《半导体杂志》
1996年第1期47-50,共4页
关键词
晶格驰豫效应
最近邻晶格驰豫
半导体材料
计算
分类号
TN304.02 [电子电信—物理电子学]
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半导体杂志
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