离化原子团束在Si（Ⅲ）衬底上淀积DdTe薄膜的研究
-
1汪峰,张荣,陈志忠,朱健民,顾书林,沈波,李卫平,施毅,郑有炓.Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究[J].高技术通讯,2002,12(3):47-49.
-
2胡丽君,庄惠照,薛成山,薛守斌,张士英,李保理.氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响[J].山东师范大学学报（自然科学版）,2007,22(3):52-54.
-
3马灵灵,郑毓峰,侯娟,匡代洪,孙言飞,简基康.自掺杂Te生长CdTe薄膜的结构及其光学性质研究[J].新疆大学学报（自然科学版）,2007,24(2):175-179. 被引量：1
-
4材料制备工艺[J].电子科技文摘,2001,0(2):29-29.
-
5石文孝,龚静.基于WiMAX技术的上行调度算法[J].吉林大学学报（工学版）,2010,40(5):1386-1391. 被引量：1
-
6冯嘉猷,张芳伟,范玉殿,李恒德.ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究[J].Journal of Semiconductors,1994,15(3):194-198.
-
7李标,褚君浩,朱基千,陈新强,曹菊英,汤定元.（Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布[J].Journal of Semiconductors,1996,17(10):721-728. 被引量：1
-
8杨种田,柯贤文,刘传胜,郭立平,付德君.离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜[J].武汉大学学报（理学版）,2007,53(3):333-336.
-
9研究人员发现单原胞厚度铁电体[J].高科技与产业化,2016,0(8):9-9.
-
10C.A.Castro,顾聚兴.焦平面列阵的智能加工:用于(Hg,Cd)Te液相外延的传感器及控制技术[J].红外,1996(5):9-18.
