β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析

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摘要 β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光电子器件与ＶＬＳ...

作者倪如山王连卫沈勤我林成鲁

机构地区中国科学院上海冶金研究所

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期488-488,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词光电子材料薄膜剖石反应沉积外延结构

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电子显微学报

1996年第6期

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