P－MOSFET的TEM研究

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摘要Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...

作者刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信

机构地区北京有色金属研究总院清华大学微电子研究所

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期522-522,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基金国家自然科学基金

关键词 P-MOSFET TEM 场效应器件

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电子显微学报

1996年第6期

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