低温电力电子器件、电路及系统
摘要
低温工程与电力电子学的交叉产生低温电力电子学这一新兴边缘学科。实验表明,低温环境是半导体材料的理想工作环境。在低温环境下,其相关属性,如载流子迁移率、热导率和电阻率等特性都有明显改善,这使得电力电子器件和功率变换电路的性能得到提高。本文在实验基础上详细论述了该领域的发展和研究状况,探讨了低温电力电子学的潜在应用。
出处
《电气应用》
北大核心
2006年第3期1-2,4,6,共4页
Electrotechnical Application
参考文献12
-
1[1]R K Kirschman.Cold electronics:an overview.Cryogenics,1985,25(3)
-
2[2]R R Ward,W J Dawson,L Zhu et al.Ge semiconductor devices for cryogenic power electrons.ISPSD,2003(4):14~17
-
3[3]Ranbir Singh,B Jayant Baliga.Cryogenic operation of silicon power devices.Kluwer Academic Publishers,1996
-
4[4]R Karunanithi,A K Raychaudhuri,G V Shivashankar.Behaviour of power MOSFET's at cryogenic temperature.Cryogenics,1991,31 (12)
-
5[5]T Poul Chow,David Lau.Performance of600-V n-Channel IGBT's at low temperatures.IEEE Electron Device Letters,1991,12(9)
-
6[6]Patrick R Palmer,Enrico Santi,Jeery L Hudgins et al.Circuit simulator models for the diode and IGBT with full temperature dependent features.IEEE transactions on power electronics,2003,18(5)
-
7[7]Richard L,Patterson.Evaluation of capacitors at cryogenic temperatures for space applications.Conference Record of the 1998 IEEE International Symposium on Electrical Insulation,1998(6):7~10
-
8[8]Malik E Elbuluk,Scott Gerber.Performance of high speed PWM control chips at cryogenic temperature IEEE,2001
-
9[9]Louis C Chow,Maninder S Sehmbey,Jerry E Beam.Thermal management issues in cryo-electronics.IEEE,1996
-
10[10]A Caiafa,X wang,J L Hudgins et al.Cryogenic study and modeling of IGBTs.IEEE,2003
-
1冯庆祥.第12届国际低温工程会议在英国举行[J].低温与特气,1988,6(3):72-73.
-
2杜少武,钟安明.磁集成技术的发展与展望[J].高科技与产业化,2009,15(8):85-88. 被引量:1
-
3郝宁.航天低温工程信息网(七网)2009年学术交流会胜利闭幕[J].航天器环境工程,2009,26(5).
-
4杨盈莹.微电子学中的化学[J].国外科技新书评介,2013(10):8-9.
-
5彭英才,傅广生.半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系[J].半导体杂志,2000,25(1):43-46. 被引量:1
-
6公学成,王习芳.用Visual Basic实现测井曲线的分形插值[J].国外测井技术,2005,20(2):64-66.
-
7速率提高350倍的新型光开关[J].中国光学,2013,6(2):270-270.
-
8梁振光,唐任远.电机的电磁兼容问题[J].中小型电机,2004,31(2):63-67. 被引量:10
-
9刘德纯.建立创造的通道——从“趣味载体学”谈起[J].中国发明与专利,2009,6(8):62-62.
-
10张青枝,吴钢,庞之洋,冯巧莲,毕柯,李雁飞,石零.基于激光光热法的固体热扩散率数值分析[J].激光与红外,2012,42(2):129-132. 被引量:4