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经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用 被引量:1

THE APPLICATION OF EMPIRICAL PSEUDOPOTENTIAL SCHEME ON THE THEORETICAL CALCULATION OF HETEROJUNCTION BAND ALIGNMENT
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摘要 在异质结能带排列的理论计算中,采用经验赝势能带计算方法,并将平均键能Em作为参考能级,计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序(包括价带、导带和带隙),获得完整且较准确的理论计算结果,其价带偏移ΔEv的计算值分别为057,050和107eV. Taking the average bond energy E m as reference level,an empirical pseudopotential scheme is employed to calculate the band alignment (including valence band,conduction band,and band gap) of three semiconductor heterojunctions:GaAs/Ge,AlAs/GaAs and AlAs/Ge and the complete and more accurate calculation results are obtained.In our calculation,the valenceband offset values Δ E v of the above three heterojunctions are 0 57,0 50 and 1 07eV,respectively.
机构地区 厦门大学物理系
出处 《物理学报》 CSCD 北大核心 1996年第9期1536-1542,共7页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金及福建省自然科学基金
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  • 相关文献

参考文献7

  • 1王仁智,Phys RevB,1995年,51卷,1935页
  • 2Ke S H,Phys Rev B,1994年,49卷,10495页
  • 3王仁智,半导体学报,1992年,13卷,252页
  • 4王仁智,物理学报,1991年,40卷,1683页
  • 5Wei S H,Phys Rev B,1989年,39卷,3279页
  • 6Luo L F,Appl Phys Lett,1988年,53卷,2320页
  • 7Yu E T,Phys Rev B,1988年,38卷,12764页

同被引文献4

引证文献1

二级引证文献2

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