新型512Mb NOR闪存＋PSRAM／LPSDRAM子系统芯片

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摘要 ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统。这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器（PSRAM）或低功耗同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。采用ST的现代90nm工艺技术制造，新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比。

出处《电子元器件应用》 2006年第3期134-134,共1页 Electronic Component & Device Applications

关键词 NOR闪存 512Mb 系统芯片动态随机存取存储器静态随机存取存储器 ST公司 90nm工艺 3G手机 256Mb 闪存存储器

分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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