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等离子增强型化学气相淀积氮化硅的刻蚀

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摘要 本文研究了目前在生产线在上使用的DK-P200型等离子干法刻蚀设备各项刻蚀参数对刻蚀效果的影响。报告了典型刻蚀工艺条件,对刻蚀速率随折射率而变化给出了新的解释。
作者 唐元洪
出处 《LSI制造与测试》 1996年第5期15-17,共3页
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