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等离子增强型化学气相淀积氮化硅的刻蚀
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摘要
本文研究了目前在生产线在上使用的DK-P200型等离子干法刻蚀设备各项刻蚀参数对刻蚀效果的影响。报告了典型刻蚀工艺条件,对刻蚀速率随折射率而变化给出了新的解释。
作者
唐元洪
出处
《LSI制造与测试》
1996年第5期15-17,共3页
关键词
等离子
氮化硅
刻蚀
PECVD
IC
分类号
TN405.982 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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LSI制造与测试
1996年 第5期
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