Al／TiN／Ti多层金属化在微波器件中的应用研究

在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失效机理为Ａｌ、Ｓｉ互扩散，致使ＥＢ结退化．而采用ＴｉＮ阻挡层的器件发射区中未发现Ａｌ离子，ＴｉＮ有效阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，提高了界面稳定性。