提高微波功率晶体管击穿电压研究

微波功率晶体管其微波参数（ｆＴ、ＧＰ、ＰＯ等）和击穿电压ＢＶＣＢＯ对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾，使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ获得明显改善。此工艺已成功用于３．１～３．４ＧＨｚ系列脉冲功率晶体管研制中。