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提高微波功率晶体管击穿电压研究
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摘要
微波功率晶体管其微波参数(fT、GP、PO等)和击穿电压BVCBO对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾,使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压BVCBO获得明显改善。此工艺已成功用于3.1~3.4GHz系列脉冲功率晶体管研制中。
作者
黄忠升
潘宏菽
机构地区
电子工业部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期22-26,共5页
Semiconductor Technology
关键词
微波
低浓度深结
环扩
功率晶体管
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1996年 第5期
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