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硅化结形成技术
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摘要
详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法(PJS,DDO,ITM)特别是后两种方法的原理及优、缺点,并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。
作者
黄焕章
张敏
机构地区
上海冶金研究所微电子学分部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期31-35,共5页
Semiconductor Technology
关键词
硅化物
硅化结
MOS
PJS
DDO
ITM
形成
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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1996年 第5期
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