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硅化结形成技术

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摘要 详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法(PJS,DDO,ITM)特别是后两种方法的原理及优、缺点,并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。
作者 黄焕章 张敏
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期31-35,共5页 Semiconductor Technology
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