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电子辐照CZ-Si单晶的深能级 被引量:1

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摘要 常温下用剂量为4×10(15)电子/cm2的1.8MeV电子束对CZ-Si单晶制成的p+n二极管进行了辐照,采用深能级瞬态谱技术(DLTS)在该样品中观察到4个深能级,并对其形成原因进行了讨论。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期52-53,共2页 Semiconductor Technology
基金 高纯硅及硅烷国家重点实验室资助
  • 相关文献

同被引文献6

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引证文献1

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