Ⅲ-Ⅴ族氮化物的研究进展

Current Status of Ⅲ-Ⅴ Nitride Research

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摘要论述了Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体晶体生长、电导控制与发光器的最新进展,介绍氮化物半导体的研究现状,并讨论实现更高性能氮化物基器件需要解决的问题。

作者 Isamu Akasaki 李秀清

出处《半导体情报》 1996年第5期23-26,共4页 Semiconductor Information

关键词 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体

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半导体情报

1996年第5期

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