超亮度InGaN单量子阱结构绿光发光二极管

Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes

制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大约比常规的 GaP 绿光 LED(0.1cd)高100倍。在正向电流为20mA 时,这些 SQW绿光 LED 的输出功率、外量子效率、峰值波长和半高全宽值分别为:3mW,6.3%,520nm 和30nm。现已用 MOCVD 法在蓝宝石衬底上生长了这种 p-Al-GaN/InGaN/n-GaN 结构的 InGaN SQW 绿光 LED。