高跨导AlGaN/GaN光电子异质结构场效应晶体管

High Transconductance AIGaN/GaN Optoelectronic Heterostructure Field Effect Transistor

报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导和电流的增加是由于沟道中产生的俘获正电荷和导电电子造成的。这些俘获正电荷和导电电子使器件沟道中二维电子气的表面密度增至2×10^(12)cm^(-3),因而降低了源的串联电阻。