GaN MESFET的微波性能

Microwave Performance of GaN MESFETs

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摘要用 MOCVD 法制备了在高电阻率 GaN 层上生长沟道厚度为0.25μm的GaN MESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件,测得其 f_T 和 f_(max)分别为8和17GHz。

作者 S.C.Binari 付士萍

出处《半导体情报》 1996年第5期42-43,共2页 Semiconductor Information

关键词氮化镓 MESFET 微波器件

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半导体情报

1996年第5期

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