GaN的离子注入掺杂和隔离

Ion Implantation Doping and Isolation of GaN

在 GaN 中注入 Si^-和 Mg^+/P^+之后,在约1100℃下退火,分别形成 n 区和 p 区。每种元素的注入剂量为5×10^(14)cm^(-2)时,Si 的载流子激活率为93%,Mg的是62%。相反地,在原 n 型或 p 型 GaN 中注入 N^+,然后在约750℃下退火,能形成高阻区(>5×10~9Ω/□)。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在0.8～0.9eV 范围内,这些工艺参数适用于各种不同的 GaN 基电子和光器件。