低温小注入双极晶体管基区杂质电离浓度的计算

建立了计算低温晶体管基区电离杂质浓度分布的精确物理模型和数值模型。由于该模型考虑了载流子费米统计分布、发射区注入和杂质电离对杂质电离能的屏蔽作用以及基区自建电场场助激发效应，因此具有广泛的适用性。在此基础上，还提出了三种简化模型。