摘要
利用So l-G el及摸板技术定向合成了具有量子限域特征的ZnFe2O4纳米半导体催化剂(Q-ZnFe2O4)。分别采用XRD,DRS,FS,In situ EPR及光催化等手段对合成的纳米半导体的结构,表面化学物理特性,表面界面电荷转移特性及选择催化特性进行了深入研究。研究结果表明:采用定向合成技术可以在室温下合成具有尖晶石结构的Q-ZnFe2O4纳米晶半导体。DRS及FS结果证明样品呈现显著的量子限域效应及表面界面效应。原位辐射顺磁共振光谱结果表明:光生的电子和空穴可以分别在体相及表相Fe3+位置被同时俘获。临氧条件下,量子限域Q-ZnFe2O4纳米半导体受光激发后,光生电子可由表相Fe3+转移给四面体位置的Zn2+,即表相Fe3+可以作为光生载流子的生成中心;吸附的分子氧可以俘获迁移的电子形成高活性的羟基自由基。温和条件下,Q-ZnFe2O4纳米晶半导体可以高效活化分子氧实现低碳烷烃的光催化选择氧化,其中醇类羟基化合物的选择性可接近60%。
Selective photoxidation of cyclohexane over Q-ZnFe2O4 by molecular oxygen was studied. Physical techniques including XRD, UV-VIS, FS and ESR were applied to investigate the photogenerated carrier transfer and quantum size effect which are believed to be the reason for governing selectivity and activity in the photocatalytic reaction.
出处
《渤海大学学报(自然科学版)》
CAS
2006年第1期1-5,共5页
Journal of Bohai University:Natural Science Edition
基金
国家自然科学基金(No:29977003)
辽宁省科技基金(No:20022142)
留学归国人员基金(2003DLUT-09)
大连理工大学"纳米+X"项目支持(2004Nano-02)