采用电子束检测技术辅助晶体管开发

涉足尖端技术研究工作的芯片制造商正在把无数新材料和奇特的器件结构结合起来，用于65nm及更低节点的量产。同时他们发现，在这些研究上的努力生产的结果还包括目前必须着手解决各器件各个层上出现的越来越多的细微的电缺陷和微小物理缺陷。在存储器中，可能会出现多晶硅阻塞管道问题poly-plug piping problems，从而引起BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）孔隙问题。在逻辑领域，使用应变硅引起的应变硅位错可能产生缺陷，有时这类缺陷直到后道工艺才显露出来。