摘要
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜。利用XRD对PLT薄膜的结晶性能进行了研究。实验结果表明,在一定的制备工艺条件下,可以制备出完全钙钛相的PLT铁电薄膜。PLT铁电薄膜的结晶性能与溅射的工作气压、氧氩比、退火温度等关系密切;PFM表明PLT薄膜的电畴具有180°结构。
Microstructures and ferroelectric domains of (Pb,La) TiO3[PLT]films,grown by RF magnetron sputtering and annealed at 600℃ for 60min ,were characterized with X-ray diffraction(XRD) and piezo-response force microscopy(PFM).The results show that under optimum growth conditons,pure perofskite phase forms in the PLT films,Various factors,including sputtering pressure,the ratio of oxygen and argon in the gas mixture and annealing temperature,setrongly affect crystal structure of the films,Moreover,PFM images indicate that the 180° domain dominates in the PLT films.
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期102-105,共4页
Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金
国家自然科学重点基金项目(No.50132020)
国家自然科学基金项目(No.60471044)
关键词
PLT
铁电薄膜
电畴
PFM
PLT, Ferroelectric thin films, Domain, PFM