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用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性

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摘要 本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值电压窗口”的ETOXTMFLASH和“小阈值电压窗口”的SONOSFLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用阈值电流对各种阈值电压窗口的FLASH器件读取性能可靠性进行评估的可行性。
出处 《中国集成电路》 2006年第5期55-62,共8页 China lntegrated Circuit
基金 国家重点基础研究专项经费资助(批准号:TG2000-036503) EEPROM超薄栅(<10nm)隧道氧化层可靠性评价模型研究(项目编号:JW0205)
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