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半导体材料稀土掺杂的理论及应用 被引量:1

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摘要 近年来,稀土掺杂导体材料已成为引人注目的研究课题。本文阐述了硅和主要Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中掺杂的原理、掺杂方法;材料的制备及其电学、光学性质,并简要介绍了目前稀土掺杂半导体材料在光电器件方面的应用结果。
作者 屠海令
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期39-44,共6页 Chinese Journal of Rare Metals
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