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半导体材料稀土掺杂的理论及应用
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摘要
近年来,稀土掺杂导体材料已成为引人注目的研究课题。本文阐述了硅和主要Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中掺杂的原理、掺杂方法;材料的制备及其电学、光学性质,并简要介绍了目前稀土掺杂半导体材料在光电器件方面的应用结果。
作者
屠海令
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期39-44,共6页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
硅
砷化镓
磷化铟
稀土
掺杂
光电器件
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
1996年 第1期
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