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新型MRAM存储器存取核心技术的研究 被引量：1

Research on the Key Technology of MRAM Storage
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摘要 通过分析MRAM存取技术的基本原理,研究了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景。 This paper analyzes the basic principle of MRAM storage technology, researches the different MRAM storage mechanisms of 1T1MTJ and the XPC, and discusses the application prospect of MRAM as the next generation memory.
作者 杨小宝 朱志祥 程远征
机构地区 西安邮电学院通信技术研究所
出处 《新技术新工艺》 2006年第4期35-37,共3页 New Technology & New Process
关键词 磁阻式随机存取存储器 数据流磁性隧道结 XPC MRAM, MTJ, XPC
分类号 TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1Daughton J M.Magnetic tunneling applied to memory[M].Journal of Applied Physics,1997,81(8):56-83.
  • 2Daughton J M,James M,Pohrn,et al.Magnetoresistive memory with multi-layer storage cells having layers of limited thickness[P].US,4780848.1988-10-25:92-101.
  • 3Tang Eun-Jung,Lee Seung-Yoen,Kim Hye-Jin,et al.A sensing circuit for MRAM based on 2MTJ-2T structure[M].Current Applied Physics,2004,4 (1):60-75.
  • 4Durlam M,Naji P,Naji A P,et al.A low power 1Mbit MRAM based on 1T1MTJ bit cell integrated with copper interconnects[M].Symyosium on VLSI Circuit Digest of Technical Papers,[24] No bour Sakimura,2005:158-172.
  • 5Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi,Takeshi Honda,et al.A 512kb cross-point cell MRAM[R].Solid-State Ciraits Conference,2004.Digest of Technical Papers.ISSCC.2004:278-279.

同被引文献1

  • 1魏梨君 刘须奎.计算机断电梦魇的克星-MRAM的原理、发展及展望.中国水运,2007,5(3):104-106.

引证文献1

新技术新工艺
2006年 第4期

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