范德堡法样品电极位置对测量结果的影响被引量：2

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摘要范德堡法样品电极位置对测量结果的影响王富咸，宋斌，王彤涵（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：范德堡法，霍尔效应，电极，电阻率（一）引言霍尔效应是研究半导体性质的一种基本方法，并广泛用于常规测量，１９５８年ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（Ｖｄｐ）提出在任...

作者王富咸宋斌王彤涵

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期236-238,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词范德堡法霍尔效应电极电阻率半导体

同被引文献8

1刘新福,孙以材,刘东升.四探针技术测量薄层电阻的原理及应用[J].半导体技术,2004,29(7):48-52. 被引量：53
2唐兆磷,黄荣芳,闻立时.超薄金属膜电阻率尺寸效应[J].材料研究学报,1997,11(4):438-440. 被引量：16
3王红梅,曾一平,周宏伟,董建荣,潘栋,潘量,孔梅影.InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究[J].Journal of Semiconductors,1998,19(6):413-416. 被引量：1
4涂有瑞.霍尔器件的技术状况与市场分析[J].世界电子元器件,1998(7):57-61. 被引量：1
5周宏伟,曾一平,李歧旺,卫微,王红梅,孔梅影.InAs薄膜Hall器件[J].传感器技术,1998,17(5):19-21. 被引量：1
6范平,伍瑞锋,赖国燕.连续金属薄膜的电阻率研究[J].真空科学与技术,1999,19(6):445-451. 被引量：10
7吴宝嘉,韩永昊,彭刚,金逢锡,顾广瑞,高春晓.金刚石对顶砧中触点位置误差对样品电阻率测量精度的影响[J].物理学报,2011,60(12):484-488. 被引量：1
8孙慧卿,范广涵.基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试[J].传感器技术,2004,23(2):38-39. 被引量：4

1姚阳,王昭,钟传杰.简化DG OTFT结构对模拟精度的影响[J].固体电子学研究与进展,2014,34(6):522-525.
2刘新福,孙以材,刘东升.四探针技术测量薄层电阻的原理及应用[J].半导体技术,2004,29(7):48-52. 被引量：53
3付雪涛,刘筠,张旭,王香,管琪,裴会川,张永刚,李雪.重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量[J].激光与红外,2016,46(7):843-846.
4王泽温,介万奇,李宇杰,谷智.Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析[J].功能材料,2006,37(8):1232-1234.
5黄旭涛,赵旭,江晓清,王明华.行波电极型BOA光开关的研制[J].半导体光电,2001,22(4):263-265.
6孙以材,刘新福,高振斌,孟庆浩,孙冰.微区薄层电阻四探针测试仪及其应用[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):93-93. 被引量：12
7孙慧卿,范广涵.基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试[J].传感器技术,2004,23(2):38-39. 被引量：4
8FSA8049：MIC／GND交叉点开关[J].世界电子元器件,2012(4):38-38.
9方玉明.驱动电极位置对扭转式静电微执行器Pull-in行程的影响[J].微电子学,2012,42(2):168-172. 被引量：2
10王伟,石家纬,姜文海,郭树旭,张宏梅,马东阁,全宝富.OTFTs结构与器件性能[J].功能材料与器件学报,2007,13(1):82-85. 被引量：3

稀有金属

1996年第3期

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