期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

新型结终端技术 被引量：1

A New Junction Termination Technique
下载PDF
导出
摘要 提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性. A new junction termination technique in which field plate combines with diffusion guard ring is presented. And we discuss the principle and superiority of the new junction termination technique.
作者 石广源 李永亮 李严 高嵩
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第2期172-174,共3页 Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
关键词 场板 保护环 结终端技术 field plate guard ring junction termination technique.
分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Akio NAKAGAWA. High Voltage Low On- Resistance VDMOSFET [ J ]. Japanese Journal of Applied Physics.1982,21 (Supplement 21 - 1 ) :97 - 101.
  • 2V PATRICK O'NEIL, G ALONAS. Relation Between Oxide Thickness and the Breakdown Voltage of a Planar Junction with Field Relief Electrode[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 1979,26(7) : 1098 - 1100.
  • 3F CONTI, M CONTI. Surface Breakdown in silicon Planar Diodes Equipped with Field Plate [ J]. Solid- State Electronics, 1972,15:93 - 105.
  • 4ADRIAN RUSU, CONSTANTIN BULUCEA. Deep- Depletion Breakdown Voltage of Silicon - Dioxide/Silicon MOS Capacitors[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 1979,26(3):201-204.
  • 5ANDREW S. GROVE,OTtO LEISTIKO. Effect of surface field on the breakdown voltage of planar silicon P - N Junction[J]. IEEE Transactions on Electron Devices,1967, 14(3) :157 - 162.
  • 6JOSE G. MENA, C. ANDRE T. SALAMA. Breakdown Voltage Design Considerations in VDMOSFET Structrues[J].IEEE Transaction on Electron Devices , 1984,31 ( 1 ) : 109- 113.
  • 7陈岩.高压大功率VDMOSFET终端技术的研究[J].北京轻工业学院学报,1999,17(1):54-58. 被引量：3

共引文献2

同被引文献1

引证文献1

二级引证文献1

辽宁大学学报（自然科学版）
2006年 第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部