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磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究 被引量:5

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摘要 介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。
出处 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第6期415-419,共5页 Vacuum Science and Technology
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共引文献2

同被引文献39

  • 1冯丽萍,刘正堂,刘文婷,李阳平,陈继权.蓝宝石衬底上制备SiO_2薄膜的研究[J].材料科学与工艺,2005,13(2):131-134. 被引量:3
  • 2谢松,刘希,孟广耀.化学气相淀积法合成氮化铝薄膜及其工艺设计[J].高等学校化学学报,1996,17(6):838-842. 被引量:1
  • 3杨邦朝 王文生.薄膜物理与技术[M].成都:电子科技大学出版社,1997..
  • 4McGeoch S P, Placido F, et al. Coatings for the Protection of Diamond in High-Temperature Environments. Diamond Relat Mater, 1999, 8:916-919
  • 5Fomin A A, Akhmator V, et al. Magnetron Sputtering System Stabilization for High Rate Deposition of AlN Films.Vacuum, 1998, 49(3): 247-251
  • 6Aita C R, Gawlak C J. The Dependence of Aluminum Nitride Film Crystallography on Sputtering Plasma Composition.J Vac Sci Technol, 1983, A1(2): 403-406
  • 7Shinoki F, Itoh A. Mechanism of RF Reactive Sputtering. J Appl Phys, 1975, 46(8): 3381-3384
  • 8沃森JL 克恩W.薄膜加工工艺[M].北京:机械工业出版社,1987..
  • 9Sugiyama K, Taniguchi K, et al. Preparation of Orientated Aluminium Nitride Films by Radio-Frequency Reactive Sputtering. J Mate Sci Lett, 1990, 9:489-492
  • 10G. Korotcenkov et al. XRD Study of Gas Sensitive SnO2 Thin Films Deposited by Spray Pryolysis Method [EB/OL]. IEEE, 1999.

引证文献5

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