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Ce:Lu_2SiO_5闪烁晶体生长 被引量:10

Growth of Ce ̄(3 +): Lu_2SiO_5 Scintillation Crystals
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摘要 用Φ80×60mm的铱坩埚,铱丝为籽晶,提拉法生长了Ce(0.5at.%):Lu2SiO5单晶。Lu2O3原料纯度为99.5%;得到小晶体的尺寸3×4×4mm;测量了晶体的光学激发谱和发光谱;讨论了生长大晶体的措施。 The Ce doped Lu2SiO5 scintillating crystals are grown by Czochralski method. A Ir-wire is used to seed the crystal, the purity of the start material-Lu2SiO5 is 99 .5 %. The Ce: Lu2SiO5 small crystals in dimension 3 × 4 × 4mm are obtained. The luminescence and excitationspectra are measured. It is discussed how to grow a larger crystal.
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期175-176,共2页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 闪烁晶体 引上法晶体生长 激发光谱 晶体 scintillating crystals crystal pulling spectra
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