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远程和直接射频氩等离子体对医用PVC进行表面改性 被引量：2

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摘要 采用远程和直接射频(RF)氩等离子体对医用聚氯乙烯(PVC)进行表面改性,通过扫描电子显微镜(SEM)观察,接触角测量和X射线光电子能谱分析(XPS)等方法,研究了改性前后材料表面结构性能的变化,分析了远程和直接RF氩等离子体处理效果不同的原因．结果表明,经远程和直接RF氩等离子体处理后,材料表面微观样貌和表面化学成分发生变化,在PVC表面引入了含氧和含氮基团,使得材料表面极性改变,提高材料表面润湿性．远程RF氩等离子体抑制了电子和离子的刻蚀作用,强化了自由基反应,改性效果优于直接RF氩等离子体,进一步提高了PVC表面的润湿性．
作者 李茹 陈杰瑢
机构地区 西安交通大学环境与化学工程学院 西安工程科技学院环境与化学工程学院
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期908-911,共4页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金（批准号：20174030） 教育部高校博士点科研基金（编号：20010698007） 教育部留学回国人员启动基金（2001[345]）资助项目.
关键词 远程RF氩等离子体 聚氯乙烯 表面 改性 SEM XPS
分类号 R318.08 [医药卫生—生物医学工程]
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参考文献17

二级参考文献57

  • 1张道勇,赵勇胜,潘响亮.胞外聚合物(EPS)在藻菌生物膜去除污水中Cd的作用[J].环境科学研究,2004,17(5):52-55. 被引量：38
  • 2Nakamura S, Pearton S, Fasol G. The Blue Laser Diode: the Complete Story. Second edition. Berlin. New York: Springer, 2000.
  • 3Shul R J, McCllelan G B, Casalnuovo S A, et al. Inductively coupled plasma etching of GaN. Appl Phys Lett, 1996, 69(8): 1119-1121.
  • 4Rong B, Cheung R, Gao W, et al. Effects of reactive ion etching on the electrical characteristics of ClaN. J Vac Sci Technol, 2000, B18(6): 3467-3470.
  • 5Lester S D, Ludowise M J, Killeen K P, et al. High-efficiency InGaN MQW blue and green LEDs. J Cryst Growth, 1998, 189/190:786-789.
  • 6Smith S A, Wolden C A, Bremser M D, et al. High rate and selective etching of GaN, A1GaN, and AlN using an inductively coupled plasma. Appl Phys Lett, 1997, 71(25): 3631-3633.
  • 7Khan F A, Zhou L, Ping A T, et al. Inductively coupled plasma reactive ion etching of AlxGa1-xN for application in laser facet formation. J Vac Sci Technol, 1999, B17(6): 2750-2753.
  • 8Kim H S, Lee D H, Lee J W, et al. Effects of plasma conditions on the etch properties of AlGaN. Vacuum.2000, 56:45-49.
  • 9Luo Y. Han Y J, Wu T, et al. Inductively coupled plasma etching of GaN-based materials. First Asia-Pacific Workshoo on Widegap Semiconductors (APWS-2003) Proceedings. Awaji Hyogo, Japan, 2003. 210-213.
  • 10Han Y J, Xue S, Guo W P, et al. Characteristics of n-GaN after Cl2/Ar and Cl2/N2 inductively coupled plasma etching. Jpn J Appl Phys, 2003, 42(10): 6409-6412.

共引文献16

同被引文献33

  • 1谭庆刚,林全愧,范德增,计剑,沈家骢.去质子化调控的肝素/壳聚糖抗凝血多层膜[J].高等学校化学学报,2006,27(4):787-789. 被引量：9
  • 2TRAN T D, MORI S, SUZUKI M. Plasma modification of polyacrylonitrile uhrafihration membrane [ J ]. Thin Solid Films, 2007, 515(9): 4148-4152.
  • 3SHIN D H, BANG C U, KIM J H, et al. Modification of metal surfaces by microwave plasma at atmospheric pressure[J]. Surf Coat Technol, 2007, 201 (9) : 4939 - 4942.
  • 4WANG G J, LIU Y W, GUO Y J, et al. Surface modification and characterizations of basalt fibers with nonthermal plasma [ J ]. Surf Coat Technol, 2007, 201 ( 15 ) :6565 - 6568.
  • 5GOLDMAN A, AMOUROUX J. Electrical Breakdown and Discharge in Gases [ C]//Macroscopic Processes and Discharge Conference Proceeding. New York: Plenum Press, 1983. 293-298.
  • 6DHAYAL M, FORDER D, PARRY K L, et al. Using an afterglow plasma to modify polystyrene surfaces in pulsed radio frequency (RF) argon discharges [J]. Surf Coat Technol, 2003, 174 : 872 - 876.
  • 7TRUNEC D, SPANeL P, SMITH D. The influence of electron-electron collisions on electron thermalization in He and Ar afterglow plasmas [ J ]. Chem Phys Lett, 2003, 372(5) : 728 -732.
  • 8LUNGU C P, IWASAKI K. In situ monitoring of plasma parameters in the afterglow region of ECR sputtering system for tribological coatings [ J ]. Vacuum, 2002, 66 (3) :197 -202.
  • 9WEI T C, COLLINS L R, PHILLIPS J. Dynamics of charged species in the afterglow region of a low-pressure microwave plasma[J]. Appl Phys, 1995, 28: 2953- 2964.
  • 10WEI T C, COLLINS L R, PHILLIPS J. Measurement and modeling of N-atom behavior in the afterglow of microwave plasma [ J ] , AIChE, 1996, d2 (5) : 1361 - 1370.

引证文献2

二级引证文献9

科学通报
2006年 第8期

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