期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
磷化铟的碱性氧化剂及热稳定性研究
下载PDF
职称材料
导出
摘要
研究了磷化铟单晶片在各种不同碱性溶液中的氧化情况,在此基础之上,提出了一种新的氧化剂,用NaOH-H2O2碱金属离子催化氧化机制来解释InP在碱性溶液中的氧化现象。使用Ruthetford背散射谱对经上述试剂氧化的样品及未经处理的InP抛光片做了对比实验,同时还作了该种氧化物的热稳定性研究。
作者
蒋伟
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第5期360-363,共4页
Vacuum Science and Technology
关键词
磷化铟
氧化
热稳定性
半导体材料
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
蒋伟.
新的用于磷化铟化学机械抛光的碱性氧化剂[J]
.表面技术,1996,25(3):38-40.
被引量:2
2
陈维德,金高龙,崔玉德,许振嘉.
多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究[J]
.Journal of Semiconductors,1991,12(11):700-704.
3
曹福年,杨锡权,刘巽琅,吴让元,惠峰,何宏家.
Sl-GaAs单晶的热稳定性研究[J]
.固体电子学研究与进展,1991,11(3):241-244.
4
谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,朱顺才,陈小兵.
半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究[J]
.半导体技术,1994,10(6):49-51.
5
郑显明.
LPE制作平面型InGaAs/InP APD[J]
.半导体光电,1993,14(1):41-47.
6
沈鸿烈,杨根庆.
半绝缘lnp中Si^++P^+双注入的电学特性[J]
.科技通讯(上海),1991,5(1):8-10.
7
前尘忆梦.
个性年代 自己动手打造怀旧视频[J]
.电脑爱好者,2011(7):61-62.
8
边朝政.
用于光通信的视频编码器的研究[J]
.科技资讯,2013,11(33):12-13.
9
周凌云,张庶元,刘文汉,许振嘉.
W/Si、WSi_x/Si、W/TiN多层膜的热稳定性研究[J]
.低温物理学报,1993,15(2):86-92.
被引量:2
10
周长尊,陈阳,Peter Kung1.
布拉格光纤光栅热稳定性研究[J]
.光学学报,2003,23(4):434-437.
被引量:10
<
1
2
>
真空科学与技术
1996年 第5期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
微信扫一扫:分享
微信里点“发现”,扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部