退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

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摘要用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。

作者刘兴阶刘卫忠林更琪缪向水李佐宜

机构地区华中理工大学固体电子学系

出处《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期376-378,共3页 Vacuum Science and Technology

关键词铁氧体薄膜射频磁控溅射退火钡铁氧体

分类号 TM27 [一般工业技术—材料科学与工程] O484.1 [理学—固体物理]

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