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电子在一维方势垒顶部的透射 被引量:1

Electron Transmission through the Top of the One Demensional Rectangular Potential Barrier
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摘要 文中对入射电子能量等于一维方势垒高度时,电子对势垒的透射情况进行了理论分析,导出了这一条件下的电子透射系数与势垒高度及势垒宽度之间的关系,并证明了电子对一维方势垒的透射系数T是入射电子能量E的连续函数。 The tunneling of an electron through a onedimensional rectangular potential barrier is analysed when the energy of the incident electron is equal to the height of the barrier The relationship between the transmission coefficient and the height and the width of the barrier is deduced, and it is proved that the transmission coefficient is a continuous function of the energy of the incident electron
出处 《电子科技》 1996年第1期58-59,63,共3页 Electronic Science and Technology
关键词 一维方势垒 势垒 电子能量 势垒高度 onedimensional rectangular potential barrier, transmission coefficient, reflection coefficient
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