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PLD法薄膜沉积条件对ZnO薄膜特性的影响 被引量：4

The influence of growing parameter on the performance of ZnO film in PLD
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摘要 介绍了基于PLD方法制备的ZnO薄膜,在衬底温度(200-400℃)改变的情况下,分别对薄膜的表面结构和光致发光的情况做了研究,发现其相关特性并得出了制备薄膜的最佳条件。 ZnO film has been fabricated by pulse laser deposition（ PLD） technique, The substrate temperatures were controled from 400℃ to 6000℃ . The structure of ZnO film and the effect of temperatures on the PLD samples were studied by X - ray diffraction（ XRD） and PL spectra.
作者 郭茂田 田臻锋 陈兴科
机构地区 中国科学院安徽光学精密机械研究所 郑州大学物理工程学院
出处 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期57-58,共2页 Laser Journal
关键词 ZNO薄膜 PLD 衬底温度 ZnO film PLD substrate temperatures
分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

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共引文献16

同被引文献9

引证文献4

二级引证文献4

激光杂志
2006年 第3期

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