铜互连工艺中的CMP制程

互连工艺中第一次采用CMP是在Al互连中的钨塞（W Plug）的平坦化工艺中。主要原因是采用非选择性的WCVD工艺能够有效填充互连金属层之间的导通孔（Via），并具有良好的一致性。但是，随着器件尺寸的减小，结构性能越来越复杂，铝线的缺点越来越明显，包括响应延迟（用RC表征）等。由于铜具有良好的导电性能和优异的电迁移特性，因此铜工艺化学机械研磨（Cu CMP）正逐渐进入人们的视野。