针对802．11n标准的RF前端面世

下载PDF

导出

摘要 SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor Inc．）推出第一颗满足802．11n标准草案的RF前端器件，在10mm×14mm的面积内该器件集成了两个双频段发射／接收链路。SiGe无线数据产品总监Andrew Parolin介绍说，制造商期待它比802．11b／g所用RF器件的占位空间还要小，尽管新的802．11n标准是第一个采用多输入多输出（MIMO）的Wi—Fi架构。

出处《电力电子》 2006年第2期61-61,共1页 Power Electronics

关键词 RF器件标准草案 SEMICONDUCTOR SiGe半导体公司前端 802.11b 面世 ANDREW 多输入多输出数据产品

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] TN915 [电子电信—通信与信息系统]

引文网络
相关文献

1李和委,张丽娟.无线系统中的RF器件与电路[J].半导体情报,2001,38(3):9-15.
2Atmel面向高速低功耗RF器件发布0．18μm CMOS技术[J].集成电路应用,2006,23(1):15-15.
3魏雪松.领先的宽带无线RF器件[J].世界电子元器件,2005(11):30-30.
4FSA公布标准化混合信号／射频Spice模型清单[J].集成电路应用,2005,22(9):26-26.
5孙再吉.无线通信的RF器件及MMIC[J].世界产品与技术,2002(5):16-17.
6薛慧.低频RF器件发展综述[J].电子工程信息,2015,0(3):22-30.
7200V／250V PowerTrench^TM MOSFET[J].国外电子元器件,2007(4):79-79.
8FDB2614／2710：MOSFET[J].世界电子元器件,2007(4):79-79.
9Intersil新款高集成度10A电源模块,极大简化电源设计并节省占位空间[J].电子与电脑,2009(6):93-93.
10Yael Shavit.无线网络设备需要高覆盖[J].网管员世界,2009(20):16-16.

电力电子

2006年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

针对802．11n标准的RF前端面世

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史