摘要
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。
We report progress in the characteristics of two-dimensional electron gas （2DEG） in group-Ⅲ-nitride heterostructures, especially in fundamental AIGaN/GaN heterostructure. The 2DEG densities, distributions and mobility in dependence on the Al content, the thickness and strain relaxation of AlGaN barrier and doping level are discussed at length, based on the peculiar strong polarization effect in strained wurtzite GaN-based heterostructure. AlGaN/GaN/AlGaN, AlGaN/AlN/GaN, AlGaN/InGaN/GaN and other group- Ⅲ -nitride heterostructures are also briefly reviewed.
出处
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2006年第2期127-145,共19页
Progress In Physics
基金
国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080)
国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683)
国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304)
关键词
Ⅲ族氮化物异质结构
二维电子气
综述
自发极化
压电极化
迁移率
group-Ⅲ nitride heterostructure
two-dimensional electron gas
review
spontaneous polarization
piezoelectric polarization
mobility
