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磁电子学器件应用原理 被引量:45

NOTES ON SPINTRONIC DEVICES
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摘要 本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 In this article, a survey of the applications for giant-magnetoresistance (GMR) and tunneling magnetoresistance (TMR) as well as spin transfer is presented with the emphasis on the operative physical properties of the spintronic devices, including magnetic field sensors, galvanic isolators, read heads, random access memories, spin transfer switches and spin torque nano-oscillators. Desirable GMR and TMR materials involved in the device operation are discussed. Three-terminal spintronic devices, i. e. , spin transistors, are also reviewed with the focus on the basic physical principles for these pure research devices at present.
作者 蔡建旺
出处 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期180-227,共48页 Progress In Physics
基金 国家自然科学基金(编号:50471055) 科技部国家重点基础研究资助 中国科学院"百人计划"资助
关键词 凝聚态物理学 磁电子学器件 综述 巨磁电阻 隧穿磁电阻 自旋转移 transfer condensed matter physics spintronic device review GMR TMR spin
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献32

  • 1[1]白春礼.微纳电子技术,2003,1:1[Bai C L. Micronanoelectronic Technology, 2003, 1 :1 ( in Chinese) ]
  • 2[3]Shen F, Xu Q Y, Yu GHet al. Appl. Phys. Lett., 2002,80:23
  • 3[4]Petford-Long A K. J. Magnetism. Magnet. Mater. 2002, 242:53
  • 4[5]Clinton B. National Nanotechnology Initiative, July 1999
  • 5[6]Mark E. R. IDEMA Traveling Symposium 2001, Dec. 2001,Shenzhen
  • 6[7]Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A et al. Science,2001, 294:1488
  • 7[8]Parkin S P. IEEE 2003, 91:661
  • 8Yu Chengtao,Phys Rev B,1995年,52卷,1123页
  • 9Xiao Gang,Lectures on GMR and its Applications in CCAST,1996年
  • 10Rao G H,Appl Phys Lett,1996年,69卷,424页

共引文献53

同被引文献467

引证文献45

二级引证文献129

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