化学气相沉积两步法制大面积硼化镁超导薄膜

该工艺由基片清洗、加热分解沉积薄膜、退火生成超导薄膜几个步骤构成，具有工艺简单、过程容易控制、工艺成本低，并可在大面积基片上生成等优点。其面积只受加热器与基片大小的限制，制备出的超导薄膜转变温度在25K-39K之间，并可与现有的微电子工艺相兼容，将薄膜直接应用于高性能超高速微电子系统中。