中芯国际用ARM物理IP支持90纳米设计
出处
《单片机与嵌入式系统应用》
2006年第7期54-54,共1页
Microcontrollers & Embedded Systems
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1中芯国际采用ARM物理IP流片90纳米低功耗设计[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(7):55-55.
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2中芯与灿芯40LL ARM Cortex-A9成功流片[J].电子工业专用设备,2012,41(3):59-60.
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3中芯与灿芯40LLARMCortex—A9成功流片[J].电子与封装,2012,12(3):28-28.
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4中芯国际采用ARM物理IP支持90nm技术下的低功耗高性能设计[J].电子工业专用设备,2006,35(6):12-12.
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5Cadence发布了针对IBM-Chartered工艺平台的优化纳米设计的90纳米设计参考流程[J].电子与电脑,2004(7):138-138.
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6瑞芯与中芯国际合作推动65纳米工艺高端芯片进入量产[J].集成电路应用,2010(12):46-46.
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7中芯国际成立CVS3DIC中心[J].集成电路应用,2013(12):45-45.
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8中芯与灿芯40LL ARM Cortex-A9成功流片[J].电子元器件应用,2012,14(3):71-71.
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9中芯国际与ARC联合将可调式微处理器引入中国[J].电子工业专用设备,2006,35(1):12-12.
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101Gb独立式NOR型闪存芯片研究获突破[J].军民两用技术与产品,2013(5):25-25.
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