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中芯国际采用ARM物理支持90nm技术下的低功耗高性能设计

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摘要 中芯国际和ARM公司共同宣布:中芯国际采用ARM Artisan 物理IP系列产品中的ARM Metro^TM低功耗/高密度产品和Advantage^TM高性能产品,用于90nmLL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期555-555,共1页 Semiconductor Technology
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