期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
中芯国际采用ARM物理支持90nm技术下的低功耗高性能设计
下载PDF
职称材料
导出
摘要
中芯国际和ARM公司共同宣布:中芯国际采用ARM Artisan 物理IP系列产品中的ARM Metro^TM低功耗/高密度产品和Advantage^TM高性能产品,用于90nmLL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期555-555,共1页
Semiconductor Technology
关键词
ARM公司
低功耗
物理设计技术
高性能产品
处理工艺
高密度
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
中芯国际采用ARM物理IP流片90纳米低功耗设计[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(7):55-55.
2
杨晨.
数据库物理设计及其优化技术研究[J]
.电子世界,2013(19):178-178.
被引量:4
3
高速高密NAND闪存:存储系统的加速器[J]
.新电脑,2008(4):227-227.
4
刘洁,武智慧,朱劼.
基于Delphi的高校学生综合素质测评系统的设计[J]
.电脑知识与技术,2007,2(8):760-761.
5
中芯国际用ARM物理IP支持90纳米设计[J]
.单片机与嵌入式系统应用,2006,6(7):54-54.
6
郭志峰.
智能配电网短期负荷预测问题研究[J]
.山东工业技术,2013(14):59-59.
被引量:2
7
IBM与ARM合作推出65纳米ASIC[J]
.世界电子元器件,2005(7):12-12.
8
直接打印iPhone照片 爱普生Artisan 710与Artisan 810[J]
.数码,2009(9):36-36.
9
IBM和特许半导体向65nm通用平台提供ARM Artisan低功耗IP[J]
.电子工业专用设备,2005,34(6):72-72.
10
IBM和特许半导体向65纳米通用平台提供ARM Artisan低功耗IP[J]
.电子与电脑,2005,5(7):138-138.
半导体技术
2006年 第7期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部