微波PCVD法人工合成金刚石
摘要
文章综合评述了目前MPCVD法人工合成金刚石的原理、装置,指出此法的优越性。
出处
《淮南师范学院学报》
2006年第3期40-41,共2页
Journal of Huainan Normal University
参考文献10
-
1顾长志,金曾孙.金刚石膜的性质、应用及国内外研究现状[J].功能材料,1997,28(3):232-236. 被引量：32
-
2郑昌琼,张铭诚,冉均国.金刚石薄膜品质及其表征[J].材料研究学报,1997,11(3):231-239. 被引量：6
-
3Lee J K, Park YJ, Eun K Y, et al. Synthesis of crack-free thick diamond ware by step- down control of deposition temperature [J]. JMater Res,2000,15 (1):29-32
-
4郑怀礼.微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的进展[J].表面技术,1997,26(3):4-5. 被引量：4
-
5霍晓,任家烈,鹿安理.用于合成金刚石薄膜的微波等离子体CVD系统[J].航空材料学报,1994,14(3):42-47. 被引量：6
-
6吕庆敖,邬钦崇,隋毅峰,匡靖安,周永成,俞世吉,王守国.新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置[J].真空与低温,1998,4(1):35-37. 被引量：9
-
7杨志威,陈立民,耿春雷,唐伟忠,吕反修,苗晋琦,赵中琴.线形同轴耦合式微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜[J].人工晶体学报,2004,33(3):432-435. 被引量：13
-
8Bachmann Peter K, Messier Russell. Emerging Technology of Diamond Thin Films[J]. Chemical & Engineering News, 1989, 67(20) :224-239
-
9Brunsteiner R, Haubner R, Lux B. Influence of Carbon Monoxide2addition to the Reaction Gas on the Hot2filament Diamond Deposition[J]. International Journal of Ref factory Metals and Hard Materials, 1996, (14): 127-135
-
10Petasch W, R uchle E, et al. Gigatron 2 a New Source for Low2pressure Plasmas [Jl. Surface and Coatings Technology, 1995,74 (27):200-205
二级参考文献19
-
1杨遇春.表面技术新进展[J].表面技术,1994,23(4):147-151. 被引量：11
-
2邸柏林.论等离子体在表面技术中的应用[J].表面技术,1995,24(1):1-5. 被引量：9
-
3[2]Bachmann Peter K, Messier Russell. Emerging Technology of Diamond Thin Films[ J]. Chemical& Engineering News, 1989, 67(20): 24-39.
-
4[3]Brunsteiner R, Haubner R, Lux B. Influence of Carbon Monoxide-addition to the Reaction Gas on the Hot-filament Diamond Deposition[J]. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials,1996, 14: 127-135.
-
5[4]Petasch W, R uchle E, et al. Gigatron - a New Source for Low-pres sure Plasmas[J]. Surface and Coatings Technology , 1995, 74-75: 200-205.
-
6[5]Petasch W, R Uchle E, Muegge H, Muegge K. Duo-Plasmaline - a Linearly Extended Homogeneous Low Pressure Plasma Source[J]. Surface and Coatings Technology ,1997, 93: 112-118.
-
7[6]Kaiser M, Baumg Rtner K-M, Schulz A, Walker M, RUchle E. Linearly Extended Plasma Source for Large-scale Applications[J]. Surface and Coatings Technology , 1999, 116-119: 552-557.
-
8[7]R Uchle E. Duo-Plasmaline - a Surface Wave Sustained Linearly Extended Discharge[J]. J. Phys. Ⅳ France, 1998, 8:7-99-7-108.
-
9[8]Kaiser M, UrbanH, Emmerich R, ElsnerP, Baumg Rtner K-M,R Uchle E.A New Linearly Extended Bifocal MicrowavePlasmaDevice[J]. Surfaceand Coatings Technology,2001, 142-144:939-942.
-
10[9]Nemanich R J, Glass J T, Lucovsky G, Shroder R E. Raman Scattering Characterization of Cabon Bonding in Diamond and Diamondlike Thin Films[J].Journal of Vacuum Science & Technology, 1988, A6:1783-1787.
共引文献59
-
1聂君兰,谷坤明,汤皎宁,麦达宇,樊璠.气源流量对所制备Me-DLC膜性能的影响[J].稀有金属与硬质合金,2008,36(1):34-37.
-
2耿春雷,黑立富,刘素田,唐伟忠,吕反修.硬质合金微型钻头金刚石涂层预处理工艺对其断裂强度的影响[J].金刚石与磨料磨具工程,2006,26(6):36-41. 被引量：5
-
3孙玉静,王翼虹,田莳.稀土金属Ce抛光CVD金刚石膜的研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(z2):826-829. 被引量：2
-
4颜京.我国新材料研究的近期进展[J].科学技术与工程,2005,5(1):48-52. 被引量：1
-
5霍晓,任家烈,鹿安理.制备工艺对金刚石形核质量的影响[J].航空材料学报,1995,15(1):45-50.
-
6黑立富,唐伟忠,樊凤玲,耿春雷,吕反修.线形同轴耦合式微波等离子体CVD法硬质合金微型钻头金刚石涂层沉积[J].人工晶体学报,2005,34(5):794-798. 被引量：2
-
7霍晓,任家烈,鹿安理.Mo、Nb镀层对YG6基体上金刚石沉积的影响[J].航空材料学报,1996,16(2):18-24.
-
8徐燕,萧小月,欧阳自远.实验空间化学研究展望[J].地球科学进展,1996,11(1):53-58.
-
9孙玉静,王树彬,田莳.熔融铈快速抛光CVD金刚石厚膜及表面分析[J].功能材料,2007,38(2):326-329. 被引量：4
-
10罗丽,汪明朴,谢丹,李周.微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究[J].材料导报（网络版）,2006,1(2):36-39. 被引量：2
-
1徐甲强,沈瑜生,曾桓兴.PCVD法制备高敏感非晶氧化铁气敏材料[J].硅酸盐通报,1990,9(3):23-27. 被引量：13
-
2孔垂雄,王升高,杜祖荣,李鹏飞,邓泉荣,王戈明.MPCVD法在碳纤维上制备碳纳米管[J].真空与低温,2014,20(5):255-259. 被引量：2
-
3刘晓晨,姜龙,安晓明.MPCVD金刚石单晶的制备及其应用前景[J].人工晶体学报,2015,44(3):643-648. 被引量：3
-
4杨武保,吕反修,唐伟忠,佟玉梅,于文秀.MPCVD法纳米金刚石膜的制备及分析[J].人工晶体学报,2000,29(1):54-58. 被引量：7
-
5张东平,乐德芬,胡一贯.MPCVD金刚石的Raman光谱分析[J].光谱学与光谱分析,2002,22(2):251-253. 被引量：7
-
6阳硕,满卫东,赵彦君,何莲,肖雄.MPCVD法合成单晶金刚石的研究及应用进展[J].真空与低温,2015,21(3):131-138. 被引量：13
-
7陈乾旺,娄正松,王强,陈昶乐.人工合成金刚石研究进展[J].物理,2005,34(3):199-204. 被引量：10
-
8满卫东,汪建华,马志斌,王传新.微波等离子体化学气相沉积——一种制备金刚石膜的理想方法[J].真空与低温,2003,9(1):50-56. 被引量：33
-
9戴雯琦,居建华,许俊芬,夏义本.偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响[J].材料科学与工艺,2000,8(2):89-91. 被引量：2
-
10喻维杰,张裕恒,彭定坤,孟广耀,曹传宝.PCVD法制备ZrO_2和YSZ薄膜[J].化学学报,1993,51(12):1164-1169. 被引量：9
