摘要
对于半导体瞬态问题的数学模型,我们采用Lagrange型分片二次多项式空间和分片常数函数空间分别作为试探函数和检验函数空间,构造了该问题的全离散二次有限体积元格式,并进行误差分析,得到了次优阶L2模误差估计结果。
The transient behavior of a semiconductor device was studied in this paper by using piecewise Lagrange quadratic trial function and piecewise constant test ruction, we derived a fully discrete finite volume element method for this problem and obtained a suboptimal L^2 error estimates.
出处
《工程数学学报》
CSCD
北大核心
2006年第4期725-728,共4页
Chinese Journal of Engineering Mathematics
基金
国家重点基础研究专项经费(G1999032803)国家自然科学基金(10372052
10271066)教育部博士点基金(20030422047).
关键词
半导体
二次元
有限体积元方法
误差估计
semiconductor
quadratic
finite volume methods
error estimate
